CVD試驗

CVD（Chemical Vapor Deposition, 化學氣相淀積），指把含有構成薄膜元素的氣態(tài)反應劑或液態(tài)反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發(fā)生化學反應生成薄膜的過程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。

CVD特點：淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復性好，臺階覆蓋性優(yōu)良。